Привет всем. Многие посетители моего сайта хорошо знают, как я трепетно отношусь к отечественной электронике. В 90-х годах, когда я был студентом кафедры микроэлектроники и полупроводниковых приборов, отечественную электронную промышленность активно разрушали у меня на глазах. Поэтому когда я вижу хорошие новости про развитие микроэлектронной отрасли в России, я радуюсь как ребенок.

Полтора месяца назад известный блогер Максим Горшенин выпустил ролик про качественные и мощные автомобильные зарядные устройства на разработанных в России GaN-транзисторах (галлиево-нитридный полупроводник с высокой подвижностью электронов). Разработку транзисторов сделал Воронежский институт электронной техники НИИЭТ, и мало того, этот институт смог организовать производство разработанных ими зарядных устройств в Китае с установкой разработанных в НИИЭТ и произведенных в Китае GaN-транзисторов. По крайней мере так рассказывают представители этой компании на индустриальных выставках. Без шуток, для российской компании это гигантское достижение по современным меркам. Ни много, ни мало, но продукцию НИИЭТ можно купить даже на Aliexpress!

Вот кадр из видео с российской выставки ExpoElectronica-2023:

Я тихо порадовался за это замечательное предприятие, которое занимается настоящим делом. И вот сегодня произошло невероятное...

* * *

Максим Горшенин снова бомбанул. После разборок с чипом Миландра, который заменяет три кусочка проволоки в мониторах LightCom, ему подсказали подумать вот о чем... Как так получается, что российская автомобильная зарядка с разработанными в России GaN-транзисторами от Воронежского института электронной техники имеет абсолютно ту же плату, что и некоторые китайские зарядки с классическими MOSFET-тами? Почему совершенно не меняется схемотехника? Не кажется ли это странным?

По счастливой случайности у Горшенина на руках оказалось две зарядки, которые ему лично передали представители НИИЭТ, на которых имеются транзисторы с логотипом НИИЭТ. Каково же было его удивление, когда внимательнее посмотрев под лупой на эти транзисторы он обнаружил, что, верхняя поверхность корпуса транзистора полностью снята лазером, и поверх, этим же лазером, сделана маркировка НИИЭТ!

Не поверив собственным глазам, Горшенин позвонил в НИИЭТ и поинтересовался, а как так получилось, что на упаковке написано что это зарядка с GaN-транзисторами, а оказалось, что это простая зарядка с китайскими MOSFET-транзисторами? Представители НИИЭТ в телефонном разговоре сообщили, что это все китайцы виноваты, и вложили в коробочки не те зарядные устройства. На вопрос почему транзисторы пиленные, в НИИЭТ ответить не смогли. Но очень хотели, чтобы Максим не публиковал эту информацию, подумал, поговорил с гендиректором института и не делал поспешных выводов.

Видео со всеми подробностями здесь: https://www.youtube.com/watch?v=E53Mo_rHDqs

* * *

Надеюсь, всем всё понятно, чем эти дельцы из НИИЭТ занимаются?

Ничего писать больше не хочется, сами думайте что с этой информацией делать.