Федеральный исследовательский центр

Институт прикладной физики им. А. В. Гапонова-Грехова

Российской академии наук

Институт физики микроструктур РАН

Н. И. Чхало

Новая концепция развития высокопроизводительной рентгеновской литографии

Дается краткий обзор современного состояния экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ, EUV в англоязычной транскрипции), или рентгеновской, литографии на длине волны 13,5 нм в мире. Обсуждаются проблемы и перспективы развития этой технологии на ближайшие годы. Сообщается о новой концепции рентгеновской литографии в России, развиваемой в Институте физики микроструктур РАН (ИФМ РАН). Приводится обоснование преимуществ и перспектив реализуемости литографии на новой для литографии длине волны 11,2 нм. Дается краткий обзор отечественного уровня развития критических технологий, необходимых для создания рентгеновского литографа.

Файл прикреплен.